Radioelektronikos terminų žodynas. – Vilnius : BĮ UAB „Litimo“. Kazimieras Gaivenis, Gytis Juška, Vidas Kalesinskas. 2000.
Bipolartransistor mit isolierter Gateelektrode — Schaltzeichen eines IGBT Ein Bipolartransistor mit isolierter Gate Elektrode (engl. insulated gate bipolar transistor, kurz IGBT) ist ein Halbleiterbauelement, das zunehmend in der Leistungselektronik verwendet wird, da es Vorteile des… … Deutsch Wikipedia
Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode — Schaltzeichen der vier IGBT Typen Ein Bipolartransistor mit isolierter Gate Elektrode (englisch insulated gate bipolar transistor, kurz IGBT) ist ein Halbleiterbauelement, das zunehmend in der Leistungselektronik verwendet wird, da es… … Deutsch Wikipedia
corps à couche épitaxiale — epitaksinis padėklas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. epitaxial body; epitaxial substrate vok. Substrat mit Epitaxieschicht, n rus. эпитаксиальная подложка, f pranc. corps à couche épitaxiale, m … Radioelektronikos terminų žodynas
epitaksinis padėklas — statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. epitaxial body; epitaxial substrate vok. Substrat mit Epitaxieschicht, n rus. эпитаксиальная подложка, f pranc. corps à couche épitaxiale, m … Radioelektronikos terminų žodynas
epitaxial body — epitaksinis padėklas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. epitaxial body; epitaxial substrate vok. Substrat mit Epitaxieschicht, n rus. эпитаксиальная подложка, f pranc. corps à couche épitaxiale, m … Radioelektronikos terminų žodynas
epitaxial substrate — epitaksinis padėklas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. epitaxial body; epitaxial substrate vok. Substrat mit Epitaxieschicht, n rus. эпитаксиальная подложка, f pranc. corps à couche épitaxiale, m … Radioelektronikos terminų žodynas
эпитаксиальная подложка — epitaksinis padėklas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. epitaxial body; epitaxial substrate vok. Substrat mit Epitaxieschicht, n rus. эпитаксиальная подложка, f pranc. corps à couche épitaxiale, m … Radioelektronikos terminų žodynas
Impact Avalanche Transit Time Diode — Die IMPATT Diode ist ein Hochfrequenz Halbleiter Bauelement der Mikroelektronik, das als Diode zu den elektronischen Bauelementen gehört. Der Name leitet sich von der englischen Bezeichnung Impact Ionization Avalanche Transit Time Diode ab, im… … Deutsch Wikipedia
Impact Ionization Avalanche Transit Time Diode — Die IMPATT Diode ist ein Hochfrequenz Halbleiter Bauelement der Mikroelektronik, das als Diode zu den elektronischen Bauelementen gehört. Der Name leitet sich von der englischen Bezeichnung Impact Ionization Avalanche Transit Time Diode ab, im… … Deutsch Wikipedia
Kleinsignalanalyse — Die IMPATT Diode ist ein Hochfrequenz Halbleiter Bauelement der Mikroelektronik, das als Diode zu den elektronischen Bauelementen gehört. Der Name leitet sich von der englischen Bezeichnung Impact Ionization Avalanche Transit Time Diode ab, im… … Deutsch Wikipedia
